導(dǎo)讀:SSD固態(tài)硬盤持續(xù)飛速發(fā)展,而在ISSCC 2019國際固態(tài)電路大會上,東芝介紹了他們的全新方案,利用小小的橋接芯片,可實現(xiàn)SSD在速度、容量兩個層面的大幅度提升。我們知道,SSD的結(jié)構(gòu)都
發(fā)表日期:2020-07-11
文章編輯:興田科技
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SSD固態(tài)硬盤持續(xù)飛速發(fā)展,而在ISSCC 2019國際固態(tài)電路大會上,東芝介紹了他們的全新方案,利用小小的橋接芯片,可實現(xiàn)SSD在速度、容量兩個層面的大幅度提升。
我們知道,SSD的結(jié)構(gòu)都是多顆閃存芯片連接一顆主控制器,由后者管理操作,而隨著閃存芯片越來越多,主控的操作速度會大大下降,所以SSD內(nèi)能使用的閃存芯片數(shù)量是有限的,這就限制了整體容量和速度的提升。
為了提升SSD容量,就需要增加主控接口數(shù)量,但這會導(dǎo)致數(shù)量極其龐大的信號線連接到主控,使得SSD主板布局異常困難。

東芝提出的新方案是在主控和閃存芯片之間放置多顆橋接芯片,并實現(xiàn)了三大創(chuàng)新:
1、以環(huán)形菊花鏈的方式連接主控和多顆橋接芯片,所需收發(fā)器數(shù)量從兩對減少到一對,減小芯片面積。
2、在主控和橋接芯片之間使用pAM4(四電平脈沖幅度調(diào)制)進行串行通信,以降低操作速度和性能壓力。
3、改進抖動(時鐘或信號波形時間域的波動),橋接芯片中不再需要pLL電路(生成精確參考信號),同時利用CDR電路(始終數(shù)據(jù)恢復(fù)),降低功耗,縮小芯片面積。

東芝目前的原型方案包含四顆橋接芯片,采用28nm CMOS工藝制造,所有橋接芯片和主控的速度都高達25.6Gbps,同時BER錯誤率低于10的負12次方。
相比之下,傳統(tǒng)方案最高只能達到9.6Gbps,布線復(fù)雜度卻高出2倍。
東芝表示,會繼續(xù)深入相關(guān)工作,包括提升橋接芯片性能、縮小面積、降低功耗,最終將SSD的高速度、大容量帶到前所未見的水平。

【來源:快科技】【作者:上方文Q】
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